pvd电镀加工价格-江苏pvd电镀-深圳瑞泓科技有限公司

真空电镀工艺主要是通过加热器把膜材蒸发、蒸发的膜材原子或分子迁移吸附到基体表面的成膜工艺，因此根据膜材的种类不同大体可分为金属膜的真空电镀、合金膜的真空电镀及化合物的真空电镀这三大类。

从这一原理图中不难看出，真空电镀工艺过程是由膜材在蒸发源表面上的蒸发、蒸发后的粒子（主要是原子）在气相中的迁移、到达基片表面上通过吸附作用在基片表面上凝结生成薄膜等三个过程所组成。这种工艺过程创造一个---成膜条件是十分---的。

真空电镀工艺可能遇到的问题及对策

1.蒸发速率对蒸镀涂层的性能影响

蒸发速率的大小对沉积膜层的影响较大。由于低的沉积速率形成的膜层结构松散易产生大颗粒沉积，为---涂层结构的致密性，选择较高的蒸发速率是十分安全的。当真空室内残余气体的压力一定时，则轰击基片的轰击速率即为定值。因此，选择较高沉积速率后的沉积的膜内所含的残余气体会得到减小，从减小了残余气体分子与蒸镀膜材的化学反应。故，沉积膜的纯度即可提高。应当注意的是，沉积速率如果过大可能增加膜的内应力，致使膜层内缺陷增大，---时可导致膜层破。---是，在反应蒸镀过程中，为了使反应气体与镀膜材料粒子能够进行充分的反应，可选择较低的沉积速率。当然，对不同的材料蒸镀应当选用不同的蒸发速率。作为沉积速率低会影响膜的性能的实际例子，是反射膜的沉积。如膜厚为600*10-8cm，蒸镀时间为3s时，pvd电镀工厂，其反射率为93%。但是，如果在同样的膜厚条件下将蒸速率放慢，采用10min的时间来完成膜的沉积。这时膜的厚度虽然相同。但是，江苏pvd电镀，反射率已下降到68%。

2.基片温度对蒸发涂层的影响

基片温度对蒸发涂层的影响很大。高的基片温度吸附在基片表面上的残余气体分子易于排出。---是水蒸气分子的排除更为重要。而且，在较高的温度下不但易于促进物理吸附向化学吸附的转变，从而增加粒子之间的结合力。而且还可以减少蒸汽分子的再结晶温度与基片温度两者之间的差异，从而减少或消除膜基界面的内应力。此外，由于基片温度与膜的结晶状态有关，pvd电镀加工厂，在基片温度低或不加热的条件下，往往容易形成非结晶态涂层。相反在较高温度时，则易于生成晶态涂层。提高基片温度也有利于涂层的力学性能的提高。当然，基片温度也不能过高，以防止蒸发涂层的再蒸发。