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真空电镀--磁控溅射镀膜技术

一、磁控溅射镀膜－溅射原理：

1.使chamber达到真空条件，一般控制在(2~5)e-5torr

2.chamber内通入ar，pvd电镀价格，并启动dc power

3.ar发生电离：ar ? ar+ ＋ e-

4.在电场作用下，电子会加速飞向阳极

5.在电场作用下，ar+会加速飞向阴极的target（靶材），target粒子及二次电子被击出，前者到达substrate（基片）表面进行薄膜成长，后者被加速至阴极途中促成更多的电离。

6.垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的作用。

工艺关键词:电离惰性气体轰击靶材、靶材脱落沉积冷却成膜

溅镀的原理，是镀膜机腔体抽真空，直接以薄膜材料(靶材)当做电极，利用电极间见通电5kv~15kv产生的电浆轰击靶材，同时通入气体，pvd电镀，气体发生离子化，粒子在电浆内移动，离子撞击靶材并使靶材表面原子脱离进而沉积在基板上，冷却浓缩成薄膜。

磁控溅镀

在直流溅镀或射频溅镀的基础上改进电极结构，亦即再把阴极内侧装置一磁铁，pvd电镀，并使磁场方向垂直于极暗区电场方向，以便用磁场约束带电粒子的运转，这种溅射法称为磁控溅射。

由于磁场的作用力与电子的运转方向垂直，将形成电子回旋运动的向心力，此时中性物种间的撞击机率提高，始之在较低的压力下即能制作薄膜。

除了低压外，磁控溅射的另两项有优点就是高速，低温，因此也称之为高速低温溅镀法。

但是磁控溅镀也存在一些问题，如就平板磁控电极磁控电极而言，靶材中央及周边不为垂直于电厂的磁场分量越来越小，亦即与靶材表面平行的磁场分量小，使得在靶材表面的一个环形区域被溅射的异常快，而中央和边缘处溅射的少，如此下去便会出现w形侵蚀谷，使的靶材利用率降低，并且可能对薄膜的均匀性产生影响。